Nintendo Switch 2 potrebbe utilizzare la V-NAND di quinta generazione di Samsung, stando a quanto affermato da un nuovo rumor. E proprio grazie a questa novità, la nuova console dell’azienda giapponese potrebbe beneficiare di un miglioramento netto alla potenza rispetto al precedente modello attualmente in commercio.
A riportare questa nuova indiscrezione è stato nello specifico Doctre81, con il leaker che ha condiviso su YouTube le nuove informazioni scovate spulciando direttamente la pagina LinkedIn di un ex Senior Director della Device Solution Division di Samsung Electronics.
Il direttore in questione ha lavorato presso il colosso coreano fino al 2019, elencando tra le principali qualifiche e responsabilità la guida dello sviluppo di una NAND Flash Controller per una misteriosa console da gioco di Nintendo.
L’ex Senior Director ha inoltre preso parte anche allo sviluppo di una Secure eMMC Card alimentata dalla V-NAND Flash di quinta generazione di Samsung Memory, oltre che alla progettazione di un nuovo PUF IP (Physical Unclonable Function).
Ovviamente non ci è dato sapere se queste informazioni fanno effettivamente riferimento a Nintendo Switch 2, ma la presenza di un “nuovo dispositivo” Nintendo nel profilo del director suggerisce effettivamente che possa trattarsi dell’atteso successore di Switch, che ricordiamo essere in arrivo sul mercato nei primi mesi del 2025 stando ad alcuni rumor. Precisiamo comunque che la V-NAND Flash di quinta generazione è caratterizzata da una velocità che arriva fino a 1,4 GB/s.
Ricordiamo infine che Nintendo non parteciperà alla Gamescom 2024.